PSMN-серия силовых MOSFET-транзисторов в корпусе LFPAKКомпания NXP расширила линейку силовых MOSFET-транзисторов серии PSMN. Транзисторы выполнены по технологии шестого поколения Trench 6 и обладают малым сопротивлением канала RDSon (до 1 мОм) и малым зарядом затвора QGD. Транзисторы рассчитаны на рабочие напряжения (VDS) 30-200 В, ток (ID) до 100 А и рабочий диапазон температур до 175°C.
Транзисторы серии PSMN выпускаются в наиболее популярных вариантах корпусов TO-220AB, D2PAK, DPAK, SO8, I2PAK, LFPAK. Комбинация технологии Trench 6 и высокоэффективного корпуса LFPAK обеспечивает большую надежность транзисторов и расширяет разработчикам границы применения.
Линейка транзисторов серии PSMN позволяет разработчикам электроники выбрать из более чем 80-ти типов транзисторов наиболее удовлетворяющий их требованиям, увеличить качество продукции и снизить цену конечного устройства.
Области применения MOSFET-транзисторов серии PSMN
–промышленная автоматика;
–бытовая электроника;
–автомобильная электроника.
Источник: www.gamma.spb.ru | 
