Новое семейство "eXtremely Rugged" LDMOS мощных РЧ транзисторов NXP Фирма NXP Semiconductors анонсировала выпуск своего нового XR семейства „eXtremely Rugged» LDMOS мощных радиочастотных (RF) транзисторов. Приборы семейства XR разработаны так, чтобы противостоять приводящим к отказу жестким условиям, часто характерных для таких применений, как промышленные лазеры, оборудование травления металлов и сверления бетона. Изготавливаемые с использованием передовой в отрасли LDMOS-технологии фирмы NXP, приборы семейства XR расширяют сферу использования LDMOS в те немногие остающиеся области, которые сегодня обслуживаются VDMOS и биполярными транзисторами.
Новый прибор BLF578XR — чрезвычайно устойчивая версия хорошо известного прибора BLF578, поставляемого фирмой NXP, мощной рабочей „лошадки» большого количества радиопередающих и ISM применений. Для большинства устройств достаточно будет просто заменить прибор BLF578 на BLF578XR.
Отличительные особенности RF транзистора BLF578XR:
–Диапазон рабочих частот: от 0 до 500 МГц.
–Усиление: 24 дБ при частоте 225 МГц.
–Эффективность: 70% при частоте 225 МГц.
–VSWR: 1,25:1 при 1200 Вт по всем фазам.
–Пиковая выходная мощность: 1400 Вт (импульсная).
–Термически усилен: 0,14 K/Вт.
Источник: http://www.cec-mc.ru/ | 
