Ремонт&Сервис
 

Новости

О нас

О журнале Р&С

Архив Р&С

номера

разделы

Анонсы Р&C

ПОКУПАЕМ от АдоЯ

Архив АдоЯ

Файловый архив

Приглашаем

Реклама

Подписка

Где купить

Наши партнеры

Поиск Р&С

ТРИЗ

Запчасти

Архив_новости

 

Журнал

Реммаркет

схемы новости электроники

Ремонт аппаратуры (схемы, справочники, документация)

Серия РЕМОНТ_147

 
Ежемесячный журнал по ремонту и обслуживанию электронной техники

• бытовая техника

• аудиотехника

• техника связи

• телевизионная техника

• оргтехника

• видеотехника

• телефония

• элементная база

 

Архив/Номера/№2–2012

Назад
 
 
 
 

Новые 600 и 650 В MOSFET-транзисторы Vishay с током до47 А и ультранизким Rds(on)

Компания Vishay объявила о выпуске новой серии 600 и 650 В n-канальных MOSFET-транзисторов с ультранизким максимальным сопротивлением открытого канала, лежащем в диапазоне от 64 до 190 мОм при напряжении на затворе 10 В. Допустимые выходные токи, в зависимости от типа транзистора, равны 22…47 А. Созданные на основе технологии Vishay Super Junction, MOSFET-транзисторы серии E отличаются ультранизким зарядом затвора и, соответственно, малыми временами включения, что является основными показателями качества MOSFET-транзисторов, используемых в преобразователях энергии.

Благодаря новой технологии сопротивление транзисторов серии E в открытом состоянии уменьшено на 30% по сравнению с предыдущим поколением устройств серии S. В зависимости от приложения, эти устройства способны обеспечить более высокую плотность мощности и достигать новых уровней эффективности. Потери управления затвором уменьшены благодаря низким входным емкостям новых устройств.

12 новых транзисторов серии E включают три 22 А прибора (SiHP22N60E, SiHF22N60E, SiHG22N60E), четыре 24 А прибора (SiHB22N60, SiHP24N65E, SiHG24N65E, SiHB24N65E и четыре 30 А (SiHP30N60E, SiHF30N60E, SiHG30N60E, SiHB30N60E) с сопротивлениями в открытом состоянии RDS(on)=190/145/125 мОм (при VG=10 В). Транзисторы c током 22, 24 и 30 А выпускаются в корпусах TO-220, TO-220 FullPAK, TO-247 и TO-263 (D2PAK). Кроме того, 47 А прибор SiHG47N60E с RDS(on)=150 мОм выпускается в корпусах TO-220, TO-263 (D2PAK) и TO-247.

Ультранизкое сопротивление в открытом состоянии транзисторов Е-серии позволит экономить энергию в мощных ключевых приложениях, включая корректоры коэффициента мощности, энергосистемы серверов и телекоммуникационные системы, сварочное оборудование, устройства плазменной резки, зарядные устройства, газоразрядные лампы высокой интенсивности, балласты флуоресцентных ламп, оборудование полупроводниковых производств, инверторы для солнечных батарей и индукционные печи.

Транзисторы удовлетворяют требованиям директивы RoHS 2002/95/EC.

Источник: http://www.rlocman.ru/

 
 
 

Свежий номер

№10–2019

Опрос

Обратная связь

 

Издательство СОЛОН-ПРЕСС

 

ЧИП-Экспо_2019

 

выставка Radel

 

RB2 Network.
 
Rambler's Top100

© Издательство «Ремонт и Сервис 21», 1998-2007. Все права защищены.
Воспроизведение материалов сайта, журналов «Ремонт & Сервис», «Покупаем от А до Я» и справочника «Ремонт и сервис электронной техники» в любом виде, полностью или частично, допускается только с письменного разрешения издательства «Ремонт и Сервис 21».

 
RB2 Network.