3D Vertical NAND - флеш-память нового поколенияКомпания Samsung объявила о начале массового производства первой в отрасли трехмерной флеш-памяти 3D Vertical NAND, или V-NAND. Технология открывает новые перспективы по масштабированию флеш-накопителей, увеличению их быстродействия и надежности хранения информации.
Архитектура V-NAND предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали, то есть формирование 3D-структуры. Один чип в текущем виде может иметь до 24 слоев.
Флеш-память 3D Vertical NAND
Для связи слоев применяется „проприетарная технология вертикальных связей». По всей видимости, речь идет о методике TSV (Through-Silicon Via), суть которой в формировании в подложках миниатюрных отверстий, заполняемых медью. Такие каналы играют роль проводников, что позволяет создавать многоярусные чипы. Врезультате плотность хранения информации значительно возрастает.
Другая особенность изделий 3D Vertical NAND заключается в применении технологии 3D Charge Trap Flash (CTF), то есть „памяти с ловушкой заряда». В CTF-изделиях электрический заряд хранится в специальной изолированной области ячейки. Технология обеспечивает значительное уменьшение электромагнитного шума в кристалле во время передачи данных, что позволяет повысить надежность хранения информации и использовать более „тонкие» технологические процессы.
Память 3D Vertical NAND изготавливается по технологии 10нм, емкость одного чипа равна 128Гбит, что делает возможным выпуск продуктов вместимостью от 128 Гб до 1 Тб. Утверждается, что по сравнению с присутствующими на рынке изделиями новые флеш-чипы обеспечивают увеличение скорости записи в два раза и повышение надежности хранения в 2-10 раз.
Источник: http://compulenta.computerra.ru | 
