Ремонт&Сервис
 

Новости

О нас

О журнале Р&С

Архив Р&С

номера

разделы

Анонсы Р&C

ПОКУПАЕМ от АдоЯ

Архив АдоЯ

Файловый архив

Приглашаем

Реклама

Подписка

Где купить

Наши партнеры

Поиск Р&С

ТРИЗ

Запчасти

Архив_новости

 

Журнал

Реммаркет

схемы новости электроники

Ремонт аппаратуры (схемы, справочники, документация)

 
Ежемесячный журнал по ремонту и обслуживанию электронной техники

• бытовая техника

• аудиотехника

• техника связи

• телевизионная техника

• оргтехника

• видеотехника

• телефония

• элементная база

 

Архив/Номера/№9–2013

Назад
 
 
 
 

3D Vertical NAND - флеш-память нового поколения

Компания Samsung объявила о начале массового производства первой в отрасли трехмерной флеш-памяти 3D Vertical NAND, или V-NAND. Технология открывает новые перспективы по масштабированию флеш-накопителей, увеличению их быстродействия и надежности хранения информации.

Архитектура V-NAND предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали, то есть формирование 3D-структуры. Один чип в текущем виде может иметь до 24 слоев.

Флеш-память 3D Vertical NAND

Для связи слоев применяется „проприетарная технология вертикальных связей». По всей видимости, речь идет о методике TSV (Through-Silicon Via), суть которой в формировании в подложках миниатюрных отверстий, заполняемых медью. Такие каналы играют роль проводников, что позволяет создавать многоярусные чипы. Врезультате плотность хранения информации значительно возрастает.

Другая особенность изделий 3D Vertical NAND заключается в применении технологии 3D Charge Trap Flash (CTF), то есть „памяти с ловушкой заряда». В CTF-изделиях электрический заряд хранится в специальной изолированной области ячейки. Технология обеспечивает значительное уменьшение электромагнитного шума в кристалле во время передачи данных, что позволяет повысить надежность хранения информации и использовать более „тонкие» технологические процессы.

Память 3D Vertical NAND изготавливается по технологии 10нм, емкость одного чипа равна 128Гбит, что делает возможным выпуск продуктов вместимостью от 128 Гб до 1 Тб. Утверждается, что по сравнению с присутствующими на рынке изделиями новые флеш-чипы обеспечивают увеличение скорости записи в два раза и повышение надежности хранения в 2-10 раз.

Источник: http://compulenta.computerra.ru

 
 
 

Свежий номер

№6–2022

Опрос

Обратная связь

 

Издательство СОЛОН-ПРЕСС

 

RB2 Network.
 
Rambler's Top100

© Издательство «Ремонт и Сервис 21», 1998-2007. Все права защищены.
Воспроизведение материалов сайта, журналов «Ремонт & Сервис», «Покупаем от А до Я» и справочника «Ремонт и сервис электронной техники» в любом виде, полностью или частично, допускается только с письменного разрешения издательства «Ремонт и Сервис 21».

 
RB2 Network.