| | TOSHIBA расширяет семейство 650 В SiC-диодов с барьером ШотткиФирма Toshiba America Electronic Components (TAEC) сообщила о расширении своего семейства 650В карбид-кремниевых (SiC) диодов с барьером Schottky (SBD). SBD-приборы TRS6E65C, TRS8E65C и TRS10E65C имеют рабочие токи 6, 8 и 10 A соответственно. Эти диоды присоединились к фирменному 12 А прибору TRS12E65C, который массово производится уже со второго квартала 2013 года. Аналитики рынков предсказывают существенный рост потребности в мощных SiC-приборах и фирма TOSHIBA расширяет свою SBD-линейку с расчетом на обеспечение ожидаемого спроса.
Низкое падение прямого напряжения и быстрое переключение SBD-приборов найдут применение в мощных стабилизаторах напряжения, вырабатывающих электроэнергию фотоэлектрических систем, в преобразователях солнечной энергии, в источниках бесперебойного питания и DC/DC-конверторах. Такие приборы также смогут заменить кремниевые диоды в импульсных источниках питания, где их эффективность будет намного выше.
Мощные SiC приборы обеспечивают более стабильную работу, чем современные кремниевые приборы даже при высоких напряжениях и токах, поскольку они обеспечивают существенно меньшее тепловыделение.
Все приборы размещены в корпусах TO-220, версии приборов, размещенных в корпусах других типов, как запланировано, будут добавляться позднее.
| Тип прибора |
VRRM, В |
IF, А |
Электрические характеристики VF, В, макс |
IRRM, мкА, тип/макс |
Корпус |
| TRS6E65C |
650 |
6 |
1,5 / 1,7 |
0,3 / 90 |
TO-220 |
| TRS8E65C |
|
8 |
|
0,4 / 90 |
|
| TRS10E65C |
|
10 |
|
0,42 / 90 |
|
| TRS12E65C |
|
12 |
|
0,45 / 90 |
|
Источник: http://www.cec-mc.ru/ | |
