| | NXP представила транзисторы в сверхмалом низкопрофильном корпусе DFN
NXP Semiconductors N.V. представила первые в индустрии транзисторы, выполненные в сверхмалом низкопрофильном 1,1 х 1 х 0,37 мм DFN-корпусе. Новая серия транзисторов состоит из 25 различных типов МОП транзисторов, включая транзисторы с низким RDSon (до 34 мОм) и биполярные транзисторы общего назначения с выходным током до 3,2 А. Сочетание сверхмалого форм-фактора и высокого КПД делает эти микросхемы идеальным решением задач управления питанием или переключения нагрузок в компактных устройствах, где размер и мощность являются ключевыми параметрами.
Новая линия продукции доступна в корпусах двух типов: однокристальный DFN1010D-3 (SOT1215) и двухкристальный DFN1010B-6 (SOT1216) (наименьший корпус, в котором возможно сочетание двух транзисторов). Эти корпуса способны рассеивать мощность до 1Вт, а их контакты покрыты оловом, благодаря чему они отвечают строгим автомобильным стандартам, предлагая преимущества оптического контроля пайки, а также улучшение качества пайки по сравнению с обычными безвыводными корпусами. Микросхемы в DFN1010-корпусе обладают характеристиками не хуже, а иногда даже лучше, чем их аналоги в WL-CSP или в громоздких стандартных DFN-, SMD-корпусах, которые более чем в 8 раз превосходят DFN1010 по размерам.
Источник: http://gamma.spb.ru/ | |
