| | X-REL Semiconductor расширяет семейство высокотемпературных транзисторов X-RELX-REL Semiconductor расширила семейство XTR2N своих высокотемпературных MOSFET, представив два новых P-канальных прибора средней мощности и два малосигнальных транзистора с каналами N- и P-типов. Предназначенные для высоконадежных приложений, имеющих увеличенный срок службы при работе в условиях экстремальных температур, таких, как преобразователи энергии, схемы управления питанием, трансляторы уровней и интерфейсы датчиков, новые устройства имеют отличные характеристики, как в ключевых, так и в линейных режимах, а также низкие токи утечки.
P-канальные транзисторы средней мощности, в соответствии с рабочим напряжением, разделены на два семейства: XTR2N0325 и XTR2N0350. Они имеют максимальное напряжение VСИ=–30 В, у транзисторов XTR2N0525 и XTR2N0550 VСИ=–50 В. Каждое подсемейство представлено транзисторами двух размеров, имеющих в обозначении суффиксы „25» и „50», они различаются максимальными токами стока.
Малосигнальные транзисторы представлены 30 В P-канальным MOSFET XTR2N0307 и 80 В N-канальным XTR2N0807. У транзистора XTR2N0307 RDS ON=7 Ом при 230°C, а XTR2N0807 RDS ON=9,1 Ом. Соответствующие максимальные напряжения стоков равны — 30 В и 80 В, а постоянные токи стоков — 350 мА (900 мА в пике) и 200 мА (450 мА в пике).
Как и остальные приборы, выпускаемые X-REL Semiconductor, транзисторы семейства XTR2N способны надежно работать в диапазоне температур от –60°C до +230°C, причем гарантированный срок службы при максимальной температуре составляет 5 лет.
Источник: http://www.rlocman.ru/ | |
