PBSS4330PAS, PBSS5330PAS - первые транзисторы NXP с низким напряжением насыщения в корпусах DFN2020NXP объявила о выпуске первых транзисторов с низким напряжением насыщения в новых корпусах DFN2020D-3 (SOT1061D), предназначенных для пайки к торцевым поверхностям контактов и пригодных для автоматизированного оптического контроля (AOI) качества паяных соединений, особенно востребованного в автомобильной промышленности. Приборы удовлетворяют требованиям стандарта AEC-Q101, регламентирующего параметры устройств для систем автоэлектроники, и сохраняют гарантированные характеристики при рабочих температурах до 175°C.
Допустимое напряжение „коллектор-эмиттер» обоих транзисторов равно 30 В, а напряжение насыщения в определенных режимах нормируется на уровне 45 мВ. Помимо большого допустимого тока 3 А и высокого коэффициента усиления тока базы, даже при больших токах достигающего 500, транзисторы отличаются улучшенными характеристиками паяемости.
Портфель пригодных для AOI транзисторов в корпусах DFN2020D-3 будет расширен в конце года за счет включения в него приборов средней мощности с низким напряжением насыщения, а несколько позднее к нему добавятся транзисторы с напряжениями „коллектор-эмиттер» до 100 В.
Особенности и преимущества:
– Низкое напряжение насыщения „коллектор-эмиттер».
– Большой постоянный и импульсный ток коллектора.
– Высокий коэффициент передачи тока при больших токах коллектора.
– Рабочая температура перехода до 175°C.
– Миниатюрный безвыводной пластиковый корпус DFN2020D-3.
– Пригодны для AOI .
– Соответствуют требованиям стандарта AEC-Q101.
Области применения:
– Коммутаторы нагрузки.
– Устройства с батарейным питанием.
– Устройства управления питанием.
– Зарядные устройства.
– Силовые ключи схем управления моторами и вентиляторами.
Источник: http://www.rlocman.ru/ | 
