Безлицензионные радиационно-стойкие MOSFET-транзисторы поколения R7Долгое время в полупроводниковой промышленности использование радиационно-стойких силовых MOSFET-устройств для исключения эффектов отказов SEL (тиристорный эффект) было менее распространенным, чем применение логических схем и памяти с повышенным уровнем радиационной стойкости для исключения эффекта одиночных сбоев (Single Event Upset, SEU). В 2005 году компания International Rectifier (IR) представила радиационно-стойкие MOSFET-транзисторы с каналами n- и p-типов c чрезвычайно низкими потерями на переключение и потерями на проводимость, меньшими чем у биполярных силовых транзисторов, которые были основой источников питания для спутников. Обычно разработчики источников питания для спутников вынуждены были применять устаревшие биполярные транзисторы типа n-p-n 2N2222A и типа p-n-p 2N2907A.
По сравнению с этими биполярными транзисторами предложенные радиационно-стойкие MOSFET-транзисторы IRHLUB770Z4 (канал n-типа) и IRHLUB7970Z4 (канал p-типа) включаются значительно быстрее, выключаются от 6 до 9 раз быстрее и при этом коммутируют ток в 5 раз больше. Кроме того, потери на переключение у новых приборов в 20 раз меньше, а потери на проводимость — в два раза.
Учитывая повышенный спрос на радиационно-стойкие транзисторы с логическим уровнем управления семейства R7 у российских разработчиков силовой электроники для аппаратуры космических аппаратов, компания IR летом 2015 года включила этот тип приборов в перечень S60 реклассифицированных радиационно-стойких компонентов, поставка которых в Россию возможна без оформления лицензий в государственных ведомствах США, ответственных за регулирование экспорта технологий и продукции военного назначения.
В таблицах приведены основные параметры радиационно-стойких MOSFET семейства R7 с логическим уровнем управления, дозовая стойкость 100 (опция 300 крад), уровень чувствительности к ТЗЧ с ЛПЭ 60 МэВ | 
