В Росэлектронике освоили выпуск мощных диодов ИК излученияХолдинг „Росэлектроника» Госкорпорации Ростех начал производство мощных излучающих диодов на основе твердых растворов арсенида галлия – арсенида алюминия (GaAs/AlAs). Полупроводниковые приборы используются в качестве источника инфракрасного излучения в системах оптической связи с открытым каналом, дальнометрии, охраны периметра, подсветки видеосъемки, а также для задач имитации целей и организации или подавления систем ночного видения.
Диоды 3Л148А1, ЗЛ148А2 разработаны томским АО „НИИ полупроводниковых приборов» (НИИПП) и выпускаются с применением меза-планарной технологии в металлополимерном корпусе, обеспечивающем эффективный теплоотвод. Длина волны излучения 870±15 нм и 905±15 нм. При проектировании применена оригинальная геометрия излучающего кристалла, согласованная со специально рассчитанной формой линзы, что обеспечивает уникальные характеристики прибора.
Источник:
http://www.ruselectronics.ru/ | 
