DIP-IPM-интеллектуальный модуль в сверхкомпактном корпусеКомпания Mitsubishi Electric представила новый DIP-IPM интеллектуальный модуль в сверхкомпактном корпусе, который получил название SLIM-DIP-L. Корпус IGBT-модуля на 30% меньше модулей с аналогичным функционалом. Использованные в конструкции модуля кристаллы последнего поколения RC-IGBT (Reverse Conducting IGBT) за счет низких потерь позволили достичь существенной экономии электроэнергии. При этом расположение выводов и встроенные функции модуля делают разработку инвертора как никогда простой.
Инновационные кристаллы RC-IGBT 7-го поколения позволили в 2 раза уменьшить напряжение коллектор-эмиттер» в открытом состоянии. Максимальный выходной ток достигает 7 А при 5 кГц и 4 А при 15 кГц.
Интеллектуальные модули SLIM-DIP-L отличаются высокой степенью интеграции, они имеют прямой диод на IGBT-кристалле и токоизмерительный резистор, благодаря чему число внешних компонентов обвязки сведено к одному бутстрепному конденсатору для питания верхнего плеча транзисторов. Кроме того, модули имеют интегрированную схему мониторинга температуры с аналоговым выходом для подключения к контроллеру.
Блок-схема модуля SLIM-DIP-L
Модули SLIM-DIP-L предназначены для разработки трехфазных инверторных приводов малой мощности, до 1,5 кВт с питанием 100
240 В АС (400 В DC), которые используются, преимущественно, в электротоварах бытового назначения, включая кондиционеры, стиральные машины, холодильники и др.
Технические характеристики:
Напряжение питания: 450 В макс.
Напряжение коллектор-эмиттер»: 600 В.
Ток коллектора: 15 А.
Температура перехода/корпуса: 30
150/30...100 °С.
Напряжение изоляции: 2000 В rms.
Схема управления: 20 В.
Габаритные размеры: 32,8x18,8x3,6 мм.
Источник: http://platan.ru/ |