SSM6N357R, SSM6N357R - MOSFET с цепями активного ограничения для индуктивных нагрузокКомпания Toshiba Electronics Europe объявила о начале серийного производства новой серии MOSFET-транзисторов с цепями активного ограничения — встроенными диодами между выводами стока и затвора. Одиночные транзисторы SSM6N357R и сдвоенные SSM6N357R предназначены для управления индуктивными нагрузками, такими как механические реле и соленоиды.
Новые приборы серии 357 защищают драйверы от возможных повреждений бросками напряжения, вызываемыми действием противо-ЭДС индуктивных нагрузок. В них интегрированы подтягивающий к земле резистор, последовательный резистор и стабилитрон, позволяющие сократить количество внешних компонентов и размеры печатной платы.
Внутренняя схема транзистора SSM6N357R
Устройства рассчитаны на максимальное напряжение „сток-исток» 60 В и максимальный ток стока 0,65 А. Эффективная работа с минимальным тепловыделением обеспечивается низким сопротивлением открытого канала RDS ON=800 мОм при напряжении VG=5 В.
Одиночный транзистор SSM3K357R выпускается в корпусе SOT-23F размером 2,92,40,8 мм, а сдвоенный SSM6N357R — в корпусе TSOP6F с размерами 2,9х2,8х0,8 мм. Устройства сертифицированы на соответствие требованиям стандарта AEC-Q101, что дает возможность использовать их в автомобильных и многих промышленных приложениях.
Источник: https://www.rlocman.ru/ | 
