| | TK040N65Z - мощный MOSFET-транзистор по технологии DTMOS VIКомпания Toshiba Electronics Europe сообщила о завершении разработки новой серии 650-вольтовых MOSFET-транзисторов следующего поколения, предназначенных для использования в источниках питания серверов центров обработки данных, стабилизаторах солнечных электростанций, бесперебойных источниках питания и других промышленных приложениях.
Первое устройство новой серии TK040N65Z изготовлено по технологии DTMOS VI и и представляет собой 650-вольтовый транзистор с максимально допустимым постоянным током стока ID=57 А и импульсным током IDP=228 А. Новый прибор отличается ультранизким сопротивлением открытого канала RDS ON=0,04 Ом (типовое значение 0,033 Ом), уменьшающим потери мощности в энергетических приложениях. Благодаря низкой емкости, устройство, работающее в режиме обогащения, подходит для использования в современных высокочастотных источниках питания.
Новые транзисторы повысят КПД источников питания за счет снижения важнейшего показателя качества MOSFET — произведения сопротивления открытого канала на емкость затвора. У транзистора TK040N65Z этот параметр снижен на 40 % по сравнению с предыдущими устройствами DTMOS IV-H, что, как показали измерения в 2,5-киловаттном корректоре коэффициента мощности, дает значительный прирост КПД источника питания, достигающий 0,36 %.
Транзистор выпускается в стандартном для отрасли корпусе TO-247, обеспечивающем как совместимость со старыми проектами, так и пригодность для новых разработок.
Источник: https://www.rlocman.ru/ | |
