SSM6N813R - сдвоенный N-MOSFET-транзистор 100 В/3,5 А в корпусе SO23-6 с высоким уровнем ESD-защитыНовый прибор SSM6N813R компании Toshiba Semiconductor представляет собой два N-канальных МДП транзистора с довольно высокими характеристиками для форм-фактора SOT-23-6 с напряжением "сток-исток" 100 В.
При столь скромных габаритах транзистор обладает высокой стойкостью к ESD (HBM: 2 кВ), максимальной мощностью рассеивания 1,5 Вт, низким сопротивлением канала в открытом состоянии 112 мОм и высоким током стока до 3,5 А.
На сегодняшний момент такие характеристики типичны для корпуса SO8, однако уникальные технологии компании Toshiba Semiconductor позволили воплотить их в корпусе TSOP6F, который занимает на 70 % меньшую площадь.
SSM6N813R сертифицирован по автомобильному стандарту AEC-Q101, максимальная температура P-n-перехода составляет 175 °C. Транзистор открывается уровнем напряжения 4,5 В.
Источник: http://www.mt-system.ru/ | 
