Ремонт&Сервис
 

Новости

О нас

О журнале Р&С

Архив Р&С

номера

разделы

Анонсы Р&C

ПОКУПАЕМ от АдоЯ

Архив АдоЯ

Файловый архив

Приглашаем

Реклама

Подписка

Где купить

Наши партнеры

Поиск Р&С

ТРИЗ

Запчасти

Архив_новости

 

Журнал

Реммаркет

схемы новости электроники

Ремонт аппаратуры (схемы, справочники, документация)

 
Ежемесячный журнал по ремонту и обслуживанию электронной техники

• бытовая техника

• аудиотехника

• техника связи

• телевизионная техника

• оргтехника

• видеотехника

• телефония

• элементная база

 

Архив/Номера/№4–2019

Назад
 
 
 
 

SSM6N813R - сдвоенный N-MOSFET-транзистор 100 В/3,5 А в корпусе SO23-6 с высоким уровнем ESD-защиты

Новый прибор SSM6N813R компании Toshiba Semiconductor представляет собой два N-канальных МДП транзистора с довольно высокими характеристиками для форм-фактора SOT-23-6 с напряжением "сток-исток" 100 В.

При столь скромных габаритах транзистор обладает высокой стойкостью к ESD (HBM: 2 кВ), максимальной мощностью рассеивания 1,5 Вт, низким сопротивлением канала в открытом состоянии 112 мОм и высоким током стока до 3,5 А.

На сегодняшний момент такие характеристики типичны для корпуса SO8, однако уникальные технологии компании Toshiba Semiconductor позволили воплотить их в корпусе TSOP6F, который занимает на 70 % меньшую площадь.

SSM6N813R сертифицирован по автомобильному стандарту AEC-Q101, максимальная температура P-n-перехода составляет 175 °C. Транзистор открывается уровнем напряжения 4,5 В.

 

Источник: http://www.mt-system.ru/

 
 
 

Свежий номер

№5–2022

Опрос

Обратная связь

 

Издательство СОЛОН-ПРЕСС

 

RB2 Network.
 
Rambler's Top100

© Издательство «Ремонт и Сервис 21», 1998-2007. Все права защищены.
Воспроизведение материалов сайта, журналов «Ремонт & Сервис», «Покупаем от А до Я» и справочника «Ремонт и сервис электронной техники» в любом виде, полностью или частично, допускается только с письменного разрешения издательства «Ремонт и Сервис 21».

 
RB2 Network.