Новые карбид-кремниевые MOSFET-транзисторы CoolSiC 1200 В в корпусе TO-247-3/4 Новые MOSFET от компании Infineon линейки CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4 основаны на современных технологиях и оптимизированы для получения высокой производительности и надежности.
Преимущество использования SiC-транзисторов по сравнению с Si-решениями — это более высокий КПД, что особенно важно для систем преобразования энергии. По сравнению с IGBT и MOSFET на основе Si, SiC MOSFET имеют ряд преимуществ: самые низкие уровни заряда затвора и емкости среди 1200-вольтовых переключателей, отсутствие потерь на восстановление внутреннего диода, низкие потери при переключении, не зависящие от температуры, и беспороговая характеристика.
MOSFET линейки CoolSiC прекрасно подходят для топологий с жесткой и резонансной коммутацией, таких как схемы коррекции коэффициента мощности, двунаправленные топологии, DC/DC-конверторы или DC/AC-инверторы.
Особенности:
– Низкие потери при переключении.
– Широкий диапазон напряжений „затвор-исток».
– Пороговое напряжение затвора VGS(th)=4,5 В.
– Контролируемая скорость нарастания напряжения (dV/dT).
– Надежный токопроводящий диод для жесткой коммутации.
MOSFET доступны для заказа в корпусах TO247, он имеет дополнительный сигнальный вывод истока для оптимизации переключения.
Применение:
– Системы преобразования солнечной энергии.
– Системы зарядки электромобилей.
– Блоки питания и ИБП.
– Управление двигателем.
| Корпус TO-247-3 |
Корпус TO-247-4 |
| IMW120R030M1H |
IMZ120R030M1H |
| IMW120R045M1 |
IMZ120R045M1 |
| IMW120R060M1H |
IMZ120R060M1H |
| IMW120R090M1H |
IMZ120R090M1H |
| IMW120R140M1H |
IMZ120R140M1H |
| IMW120R220M1H |
IMZ120R220M1H |
| IMW120R350M1H |
IMZ120R350M1H |
Источник: www.compel.ru/ | 
