| | 600-вольтовые CoolMOS MOSFET PFD7 - решение для устройств с высокой плотностью мощности Линейка высоковольтных транзисторов MOSFET CoolMOS PFD7 600 В установила новый стандарт для технологии Super Junction, став хорошим решением для использования в приложениях с высокой плотностью мощности, таких как маломощные электродвигатели.
Высоковольтные N-канальные MOSFET PFD7 сочетают в себе лучшую в своем классе производительность и простоту использования, основанную на более чем 20-летнем опыте Infineon в области Super Junction. Транзисторы линейки PFD7 поставляются в компактных корпусах PG-TO220-3 и PG-TO252-3 с внутренним диодом, что обеспечивает дополнительную надежность устройства и сокращает спецификацию при построении схем.
Особенности CoolMOS MOSFET PFD7:
– Высокая надежность и низкие потери на переключение.
– Наличие внутреннего диода (body diode).
– Устойчивость к ESD > 2 кВ (HBM).
– Лучшие в своем классе показатели RDS(on).
– Компактные размеры корпусов (PG-TO220-3 и PG-TO252-3).
Области применения:MOSFET PFD7 — решение для устройств с
– Драйверы LED.
– Зарядные устройства.
– Адаптеры питания.
– Солнечные инверторы.
– Серверные решения.
| Наименование |
Ток стока @ 25 °C, А |
Rds(on) @ 25 °C, мОм |
Корпус |
| IPAN60R125PFD7S |
25 |
0,125 |
PG-TO220-3 |
| IPAN60R210PFD7S |
16 |
0,21 |
PG-TO220-3 |
| IPAN60R280PFD7S |
12 |
0,28 |
PG-TO220-3 |
| IPAN60R360PFD7S |
10 |
0,36 |
PG-TO220-3 |
| IPD60R1K0PFD7S |
4.7 |
1,0 |
PG-TO252-3 |
| IPD60R1K5PFD7S |
3.6 |
1,5 |
PG-TO252-3 |
| IPD60R210PFD7S |
16 |
0,21 |
PG-TO252-3 |
| IPD60R280PFD7S |
12 |
0,28 |
PG-TO252-3 |
| IPD60R2K0PFD7S |
3 |
2,0 |
PG-TO252-3 |
| IPD60R360PFD7S |
10 |
0,36 |
PG-TO252-3 |
| IPD60R600PFD7S |
6 |
0,6 |
PG-TO252-3 |
Источник: https://www.compel.ru/l | |
