| | VTFET - новые транзисторы IBM и Samsung для производства субнанометровых чипов
Компании IBM и Samsung объявили об успешной разработке нового типа транзисторов, которые будут располагаться на поверхности чипа в вертикальном положении. Отметим, что на чипах всех современных процессоров и „систем-на-чипе» транзисторы располагаются на поверхности в горизонтальной плоскости и в этой же плоскости также протекают электрические токи от одного участка транзистора к другому. В отличие от этого компоненты новых транзисторов VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) располагаются перпендикулярно друг к другу, а электрический ток через транзистор течет в вертикальном направлении. Согласно предварительным оценкам процессоры, построенные на базе VTFET, будут в два раза быстрей и станут потреблять на 85 % меньше энергии, чем процессоры на безе обычных транзисторов FinFET. Смартфоны с процессорами и другими чипами на базе новых транзисторов смогут работать минимум неделю на одном заряде аккумуляторных батарей, а такие задачи, как майнинг криптовалют или суперкомпьютерные вычисления станут менее энергоемкими и будут оказывать меньшее влияние на окружающую среду.
Представители компаний IBM и Samsung пока еще не озвучили планы и сроки коммерциализации их новой разработки. Но можно предположить, что этот процесс не будет затянут надолго, ведь в мире есть и другие компании, пытающиеся перешагнуть технологический барьер 1 нм. К примеру, еще в июле этого года представители Intel объявили о намерении разработки и создания первых чипов масштаба ангстрема к 2024 году. И достигнуть этого рубежа они собираются при помощи новой архитектуры вычислительного узла под названием „Intel 20A» и транзисторов RibbonFET.
Источник: https://dailytechinfo.org/ | |
