| | Транзисторы семейства OptiMOS в корпусах TOLG и TOLT
Компания Infineon расширила линейку уже успевших завоевать популярность транзисторов OptiMOS, дополнив ее новыми приборами в корпусах TOLG и TOLT. Транзисторы OptiMOS относятся к полевым транзисторам с суперпереходом (SJ MOSFET) и имеют лучшее в своем классе сочетание повышенной установочной мощности, малого уровня потерь и низкой стоимости, позволяющее использовать их в самых разнообразных приложениях.
Основные характеристики новых транзисторов OptiMOS
| Наименование |
VDS, В |
ID, А |
RDS(on), мОм |
Корпус |
| IPTG007N06NM5ATMA1 |
60 |
454 |
0,75 |
PG-HSOG-8 |
| IPTG011N08NM5ATMA1 |
80 |
408 |
1,1 |
PG-HSOG-8 |
| IPTG014N10NM5ATMA1 |
100 |
366 |
1,4 |
PG-HSOG-8 |
| IPTG111N20NM3FDATMA1 |
200 |
108 |
11,1 |
PG-HSOG-8 |
| IPTG210N25NM3FDATMA1 |
250 |
77 |
21 |
PG-HSOG-8 |
| IPTC012N08NM5ATMA1 |
80 |
396 |
1,2 |
PG-HDSOP-16 |
| IPTC014N08NM5ATMA1 |
80 |
330 |
1,4 |
PG-HDSOP-16 |
| IPTC015N10NM5ATMA1 |
100 |
354 |
1,5 |
PG-HDSOP-16 |
| IPTC019N10NM5ATMA1 |
100 |
279 |
1,9 |
PG-HDSOP-16 |
Высокие технические характеристики транзисторов OptiMOS обеспечиваются не только передовыми технологиями в изготовлении полупроводниковых кристаллов, но и использованием специализированных корпусов нового поколения. Корпуса TOLG (PG-HSOG-8) и TOLT (PG-HDSOP-16) относятся к семейству безвыводных корпусов TOLх, предназначенных для поверхностного монтажа. Их ключевой особенностью является отсутствие традиционных для приборов подобного класса проволочных или штыревых выводов.
Благодаря увеличенной площади контактов корпуса TOLх имеют повышенную нагрузочную способность, позволяя пропускать через кристалл транзистора ток свыше 300 A. Они также имеют меньшее активное и индуктивное сопротивление силовой цепи, что позволяет снизить как общее сопротивление транзистора в открытом состоянии RDS(on), так и уровень перенапряжений, возникающих в момент коммутации. Кроме этого, корпуса TOLх имеют меньшие размеры и меньшее тепловое сопротивление по сравнению с другими версиями корпусов для поверхностного монтажа. Таким образом, использование корпусов TOLG и TOLT позволяет увеличить удельную мощность и КПД импульсных преобразователей с одновременным снижением уровня излучаемых помех.
Внешний вид транзисторов в корпусах TOLG (слева) и TOLT (справа)
Корпуса TOLG от TOLT отличаются способом отвода тепла от кристаллов транзисторов. Теплоотводящая площадка корпуса TOLG расположена на нижней стороне корпуса. В этом случае основной отвод тепла производится через печатную плату с возможностью установки радиатора на противоположной стороне. В отличие от них, корпус TOLT рассчитан на радиатор, соприкасающийся с верхней стороной корпуса, что позволяет уменьшить нагрев печатной платы и улучшить охлаждение кристалла.
Области применения новых транзисторов OptiMOS:
– импульсные преобразователи электрической энергии;
– электроинструменты;
– электромобили, электроскутеры, электросамокаты и т.д.;
– зарядные устройства и системы управления аккумуляторными батареями;
– системы управления и распределения питания.
Источник: www.compel.ru | |
