SiC MOSFET 1700 В третьего поколения Gen3 от AMG PowerКомпания AMG Power анонсировала SiC MOSFET поколения Gen3 AMG5N1700MT7 в корпусе TO2637.
Основные параметры AMG5N1700MT7:
- напряжение VD: 1700 В;
- ток ID (при 25 °C): 5 A;
- R DS ON: 750 мОм;
- напряжение затвор-исток: 5/+15 В;
- тип корпуса: TO-263-7;
- суммарный заряд затвора: 11 нКл;
- максимальная температура перехода: 150 °C;
- выходная емкость: 12 пФ;
- рассеиваемая мощность: 60 Вт.
Внешний вид транзистора AMG5N1700MT7в корпусе TO-263-7
Применение транзистора AMG5N1700MT7:
- преобразователи собственных нужд электротранспорта;
- импульсные источники питания.
Преимущества AMG5N1700MT7:
- повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость;
- позволяет работать на высокой частоте переключения;
- улучшает плотность мощности на уровне системы;
- уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение;
- удовлетворяют требованиям новых топологий с жестким переключением (Totem-Pole PFC).
Источник: https://macrogroup.ru/ | 
