Семейство SiC MOSFET 1200 В третьего поколения Gen3 от AMG Power Компания AMG Power расширила семейство SiC МОП транзисторов 12 класса нового поколения Gen3 с управляющим напряжением –5/+15 В и напряжением „сток-исток» 1200 В.
Доступны транзисторы в корпусах для поверхностного и выводного монтажа, а также в бескорпусном варианте в виде чипов.
Применение SiC MOSFET транзисторов:
– преобразователи собственных нужд электротранспорта;
– импульсные источники питания.
Преимущества:
– повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость;
– позволяет работать на высокой частоте переключения;
– улучшает плотность мощности на уровне системы;
– уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение;
– удовлетворяют требованиям новых топологий с жестким переключением (Totem-Pole PFC).
| Наименование |
ID, А |
RDS(ON), мОм |
UGS, В |
Корпус |
| A3G20N1200MT3 |
20 |
160 |
15 |
TO-247-3 |
| A3G20N1200MT4 |
20 |
160 |
15 |
TO-247-4 |
| A3G20N1200MT7 |
20 |
160 |
12 |
TO-263-7 |
| A3GR160N1200MD88 |
20 |
160 |
12 |
DFN8*8 |
| A3G20N1200MB |
20 |
160 |
12 |
Чип |
| A3G30N1200MT4 |
30 |
80 |
15 |
TO-247-4 |
| A3G100N1200MT3 |
100 |
20 |
15 |
TO-247-3 |
| A3G100N1200MT4 |
100 |
20 |
15 |
TO-247-4 |
| A3G20N1200MD02 |
100 |
20 |
15 |
TOLL |
| A3G100N1200MB |
100 |
20 |
15 |
Чип |
Источник: https://macrogroup.ru/ | 
