| | Новые MOSFET N100V для мощных устройствКомпания SuncoYJ объявила о выпуске новых MOSFET, выполненных по технологии SGT, которая позволяет уменьшить сопротивление открытого канала и расширить область безопасной работы (SOA), одновременно снизив входную емкость. Транзисторы семейства N100V выпускаются в корпусах TO-247 и TOLL (см. рисунок).
Внешний вид корпусов TO-247 (а) и TOLL (б)
Благодаря значительному коммутируемому току при малых потерях и высокому значению напряжения „сток-исток», новые MOSFET N100V подходят для систем управления аккумуляторными батареями (BMS), накопителей энергии и других сфер применения, где требуется преобразование или коммутация энергии значительной мощности.
Общие параметры новых MOSFET N100V:
- N-канал;
- напряжение „сток-исток», VDS: 100 В;
- максимальное напряжение затвора, VGS: ±20 В;
- производство по современной технологии Split Gate Trench.
Основные характеристики транзисторов серии N100V приведены в таблице
| Наименование |
Ток стока ID при Tc=25 °C, А |
Номинальное пороговое напряжение затвора Vth, В |
Сопротивление перехода Rdson при VGS=10 В, мОм |
Общий заряд затвора Qg, нКл |
Диапазон рабочих температур кристалла Tj, °C |
Корпус |
| Ном. |
Макс. |
| YJN280G10H |
280 |
2,8 |
2 |
2,6 |
257 |
–55…150 |
TO-247 |
| YJN290N10H |
290 |
2,6 |
1,8 |
2,4 |
166 |
–55…175 |
TO-247 |
| YJT300G10A |
300 |
2,6 |
1,2 |
1,55 |
166 |
–55…175 |
TOLL |
| YJT300G10H |
300 |
2,8 |
1,35 |
1,7 |
257 |
–55…175 |
TOLL |
Источник: https://www.compel.ru/ | |
