| | M95P08, M95P16 и M95P32 - память Page EEPROM "два в одном"Новая память STMicroelectronics (ST) Page EEPROM объединяет скорость и плотность последовательной флеш-памяти с гибкостью EEPROM на уровне байтов. Она сочетает в себе энергоэффективность и долговечность EEPROM с емкостью и скоростью флеш-памяти, создавая гибридную память для приложений, в которых существуют ограничения по размеру и энергопотреблению.
Новые микросхемы памяти удовлетворяют растущий спрос на хранение данных во встроенных приложениях, необходимых для поддержки все более сложных функций и запуска алгоритмов периферийного искусственного интеллекта, потребляющих много данных. Один из примеров — заушные слуховые аппараты, в которых микросхемы Page EEPROM могут создать более тонкие и удобные в ношении изделия.
Блок-схема
Помимо носимых устройств, Page EEPROM идеально подходит для таких приложений, как медицинские устройства, трекеры активов, электровелосипеды, а также другие промышленные и потребительские товары. „Интеллектуальные технологии edge быстро развиваются и кардинально меняют требования к плотности хранения встроенной памяти, производительности и энергопотреблению», — отметил представитель ST. „Наша новая Page EEPROM — идеальная память со сверхнизким энергопотреблением в дополнение к микроконтроллеру для удаленных модулей интернета вещей, работающих от аккумулятора».
Семейство Page EEPROM предлагает плотность памяти 8, 16 и 32 Мбит, что значительно увеличивает объем памяти по сравнению со стандартными устройствами EEPROM. Встроенное интеллектуальное управление страницами позволяет выполнять операции записи на уровне байтов для таких процессов, как протоколирование данных, а также поддерживает стирание страниц / секторов / блоков и программирование страниц объемом до 512 байт для эффективной обработки обновлений встроенного программного обеспечения по воздуху (OTA). Устройства также поддерживают загрузку буфера, который позволяет программировать несколько страниц одновременно, чтобы сократить время загрузки программного обеспечения в производство. Скорость чтения данных в 320 Мбит/с примерно в 16 раз выше, чем у стандартной EEPROM, а время записи в 500 000 циклов в несколько раз выше, чем у обычной последовательной флеш-памяти.
Благодаря новому управлению пиковым током, Page EEPROM минимизирует помехи в источнике питания и продлевает срок службы оборудования, работающего от аккумулятора. Ток записи ниже, чем у многих обычных EEPROM, а также есть режим глубокого энергосбережения с быстрым пробуждением, который снижает ток до менее чем 1 мкА.
100-летнее хранение данных гарантирует долговечность. Устройства включены в 10-летнюю программу ST по обеспечению долговечности продукции, которая гарантирует долгосрочную доступность продукции.
Источник: https://newsroom.st.com/ | |
