| | DirectFET™ MOSFET-транзистор IRF6665 для применения в высокоэффективных аудиоусилителях класса "D"
International Rectifier, IR®, мировой лидер в технологии управления питанием, анонсировала DirectFET™ MOSFET-транзистор IRF6665 для аудио усилителей класса D средней мощности. Параметры устройства оптимизированны специально для улучшения таких звуковых характеристик, как эффективность (КПД), коэффициент нелинейных искажений (THD) и плотность мощности. Список применений усилителей класса D очень широк: от портативных изделий, имеющих батарейное питание, до высококачественных профессиональных усилителей, музыкальных инструментов, автомобильных и домашних мультимедийных систем.
В дополнение к оптимизированному по применению кристаллу, технология корпусирования DirectFET увеличивает рабочие показатели в усилителях класса „D”, сокращая индуктивность выводов, что улучшает характеристики переключения и уменьшает шум электромагнитного излучения (EMI). Тепловая эффективность позволяет при 100 Вт рабочей мощности и 8-омной нагрузке работать без радиатора. Устранение радиатора уменьшает длину электрической цепи и массогабаритные показатели, давая проектировщикам больше гибкости при выборе места расположения компонентов и попутно уменьшая стоимость усилителя.
Критические параметры MOSFET (см. таблицу), определяющие звуковые характеристики класса „D”, включают в себя такие параметры, как сопротивление открытого канала транзистора (RDSon) и заряд затвора (Qg). Эти параметры главным образом определяют эффективность (КПД) усилителя
класса „D”.
| Наиме-нование |
Тип корпуса |
U пробоя „сток-исток”, BVDSS, В |
R откр. канала, RDS(on), МОм |
Ток стока ID (Tc=25°C), A |
Время полного заряда затвора, QG typ., нС |
Время заряда коммутации (QSW typ.), нс |
| IRF6665 |
DirectFET™ |
100 |
51 |
19 |
8 |
3,5 | | |
